1 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631
2 中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理学院,广州 510275
3 广西大学物理科学与工程技术学院,广西相对论天体物理重点实验室,光电子材料与探测技术实验室,南宁 530004
4 马来西亚大学机械工程系，马来西亚 吉隆坡 50603
5 奥本大学物理学院，美国 奥本36849
6 西北工业大学理学院,教育部空间应用物理与化学重点实验室,陕西省光信息技术重点实验室,西安710072
宽禁带半导体薄膜,包括碳化硅,氮化镓和氧化锌及其化合物以及异构体,带隙普遍在3.2 eV以上,一阶声子特征峰在100至1500 cm-1之间。确定能带宽度和声子特征峰有很多方法,比如光致发光、拉曼散射、光学透射谱等,我们提出了一种结合椭圆偏振光谱与红外傅里叶反射谱进行传输矩阵分析的方法,能够同时确定从紫外波段（约250 nm）到远红外波段（约22000 nm）的薄膜材料色散关系和膜厚。我们构建了基于谐振子的光学函数模型,并论证这个模型很适合用于模拟由各种不同波长入射光波造成的共振吸收。
椭圆偏振光谱 傅里叶红外光谱 传输矩阵方法 spectroscopic ellipsometry Fourier transform infrared spectroscopy transfer matrix method
1 物理科学与工程技术学院,广西相对论天体物理重点实验室,光电子材料与探测技术实验室,广西大学,南宁 530004
2 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631
3 中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程技术学院,广州 510275
4 Department of Mechanical Engineering,University of Malaya,50603 Kuala Lumpur,Malaysia
5 Department of Physics,Auburn University,Auburn,Alabama 36849,U.S.A.
立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和光学性能进行进一步的研究。根据SE的分析获得3C-SiC薄膜厚度；根据拉曼散射的分析:可从TO模式和LO模式的线形形状的拟合得到样品的相关长度和载流子浓度。结果表明:该碳化硅(3C-SiC)薄膜质量随膜厚度增加而得到提高,同时分析了外延层厚度对薄膜特性的影响。
3C碳化硅 光谱椭偏仪 拉曼散射 厚度 3C-SiC spectroscopic ellipsometry Raman scattering thickness
